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MGW12N120D


硅 N-IGBT 晶体管
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
the MGW12N120D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications-integrated diode
图像: -
来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
更多信息 MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [更多]
Motorola Semiconductor Products Inc.
封装: TO-247
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:-
相似型号: ↑BUP313D
相似型号搜索:-
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MGW12N120D


硅 N-IGBT 晶体管
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
the MGW12N120D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications-integrated diode
图像: -
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Jaeger electronic catalog 1999
更多信息 MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [更多]
Motorola Semiconductor Products Inc.
封装: TO-247
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相似型号: ↑BUP313D
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硅 N-IGBT 晶体管
GFX
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UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
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the MGW12N120D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications-integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
更多信息 MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [更多]
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封装: TO-247
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OEM 数据表:-
匹配型号:-
相似型号: ↑BUP313D
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零件搜索:搜索
注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

BUP313D


硅 N-IGBT 晶体管
similar to MGW12N120D, see note
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
the BUP313D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
图像: -
来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BUP313D
OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:-
相似型号: ↑BUP307D
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BUP313D


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GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
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相似型号: BUP313D
OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
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相似型号: ↑BUP307D
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GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
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the BUP313D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BUP313D
OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
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OEM 数据表:-
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相似型号: ↑BUP307D
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）
印象派
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